晶圆切割机(晶圆划片机)

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主要是要将晶圆上的每一颗晶粒(Die)切割分离。首先将晶圆(Wafer)的背面贴上一层胶带(Wafer Mount),之后通过自动上料机构将其送至晶圆切割机内部,用单独的die通过高速旋转的金刚石刀片切割开来,切割完后,一颗颗的晶粒会井然有序的排列黏贴在胶带上,然后再通过搬运手臂搬运至清洗区域离心清洗,过程用离子水(DI纯水)冲去切割产生的硅渣和释放静电,清洗完后的晶圆通过搬运手臂推回料盒中。

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晶圆切割机(晶圆划片机)

主要是要将晶圆上的每一颗晶粒(Die)切割分离。首先将晶圆(Wafer)的背面贴上一层胶带(Wafer Mount),之后通过自动上料机构将其送至晶圆切割机(晶圆划片机)内部,用单独的die通过高速旋转的金刚石刀片切割开来,切割完后,一颗颗的晶粒会井然有序的排列黏贴在胶带上,然后再通过搬运手臂搬运至清洗区域离心清洗,过程用离子水(DI纯水)冲去切割产生的硅渣和释放静电,清洗完后的晶圆通过搬运手臂推回料盒中。

晶圆切割机(晶圆划片机)设备特点

  • 高精度 高稳定性的机械结构及传动部件,精度高, 速度快。
  • 整机性能稳定,外形美观,功率低,高精密工作平台,精度高,速度快。
  • 高精度CCD自动定位,自动校正识别。
  • 可适应8英寸及12英寸晶圆,陶瓷基板,玻璃基板,Mini LED灯板。
  • 编辑软件简单易懂,可迅速掌握操作方法,人机交换界面,实时监控生产状态,指定生产计划,了解生产数据。
  • 晶圆切割机(晶圆划片机)设备参数

    项目 参数值
    设备名称 晶圆切割机
    设备型号 QWD-1202A
    最大工作物尺寸 φ300mm
    X轴 可切割范围 310mm
    进刀速度输入范围 0.1-1000mm/s
    Y1·Y2轴 可切割范围 310mm
    单步步进量 0.001mm
    Y轴定位精度 0.003mm以内/310
    单一误差0.002以内/5
    Z1·Z2轴 有效行程 14.7mm(使用φ2"切割刀时)
    移动量解析度 0.00005mm
    重复精度 0.001mm
    可使用的最大切割刀片直径 φ58mm(使用φ2"切割刀时)
    θ轴 最大旋转角度 270°
    主轴 运行速度范围( rpm) 10000~60000
    最大功率(KW) 1.8/2.4 at 60000 rpm
    扭矩(N-m 0.3/0.4 (15000~60000 rpm)
    可使用的最大框架尺寸 8-12寸
    其他规格 电源 三相AC380
    设备尺寸 1850*1520*1850mm(长x宽x高)
    设备重量 约2500KG

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