光电子（Optoelectronics）领域

光电子器件依赖半导体材料的光电转换特性，晶圆多为化合物半导体（如 GaAs、InP、GaN），切割需适应材料的脆性和高硬度，同时避免光学性能损伤。

光通信器件：如激光器（LD）、光电探测器（PD）、光模块，用于光纤通信网络。这类晶圆芯片尺寸微小（如 LD 芯片仅 0.5mm×1mm），且需保证光窗口的平整度（否则影响光耦合效率），需使用高精度激光切割或金刚石刀片切割。
显示器件：如 Mini LED、Micro LED 的外延晶圆，切割需将晶圆上的微小 LED 芯片（尺寸＜200μm）逐一分离，且不能损伤芯片的发光层（GaN 层），目前主流采用 “激光剥离（LLO）+ 激光切割” 的组合工艺。
光伏领域：虽然光伏电池片切割多称为 “划片”，但本质属于晶圆切割的延伸 —— 将大尺寸硅片（如 182mm、210mm）切割为小尺寸电池片（如半片、三分片），以提升光伏组件的功率密度。需使用高速度、大行程的切割机，同时保证切割面无崩边（避免电池片碎裂）。